XLIR2103是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和防闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。
● 浮动通道专为自举操作而设计
● 完全运行至+600 V
● 耐受负瞬态电压，dV/dt免疫
● 栅极驱动电源范围为10V至20V
● 欠压锁定
● 3.3 V、 5V和15V逻辑兼容
● 防止交叉传导逻辑
● 两个信道的传播延迟匹配
● 内部设定死区时间
● 高压侧输出与HIN输入同相
● 低压侧输出与LIN输入异相
● 符合RoHS标准
| 产品型号 | 封装 | 工作温度 | 包装数量 | ROHS | 申请样品 |
|---|---|---|---|---|---|
| XLIR2103STRPBF | SOP-8 | -40~125℃ | 2,500Pcs/Reel | ✔ | 在线申请 |
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